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行业动态
半导体电镀工艺-抗温湿度O2氧气检测仪(报警器)-深国安
半导体电镀工艺专用抗温湿度O2氧气检测仪应用背景：在半导体电镀工艺(如铜电镀、镍电镀)中，氧气(O?)的存在是影响镀层质量与工艺稳定性的关键隐患，电镀槽内若混入氧气，会导致金属离子在晶圆表面氧化形成氧化物杂质，造成镀层针孔、色差、附着力下降等缺陷，直接影响芯片电学性能
2025-10-27
241半导体钢瓶柜二氯硅烷检测仪系统-配套监控平台-深国安
SGA-900二氯硅烷检测仪系统是一款专门半导体钢瓶柜所研发的气体检测设备，该产品集气体采样、气体过滤、气体干扰、流量控制、实时浓度显示、无线数据上传、环保联网、本地声光报警、设备联动等功能为一体的标准化、�？榛�、专业化二氯硅烷检测仪系统集成设备。产品采用专业三防设计，直接户外使用，系统经主动采样、专业除水除尘干燥过滤后，再进入专业气室内进行UV灯电离检测，具体反应速度更快、抗干扰能力更强、测量更精准、寿命长久等特点;SGA-900二氯硅烷检测仪系统无线HJ 212协议数据上传，可无缝对接当地环保监测平台;因其卓越性能和良好表现，不仅可以作为企业内的有组织或无组织的气体排放使用，还可以为环保监测等部门提供数据决策支持。
2025-10-24
237半导体巡检机器人专用H2氢气报警仪-无线连平台-深国安
半导体巡检机器人专用H2氢气报警仪采用进口传感器技术，常规兼容催化燃烧，热传导，电化学等原理，检测范围覆盖0-100% LEL、10000PPM、0-100%VOL，分辨率低至 0.1% LEL，检测精度≤±3% F.S，可精准捕捉 0.5% LEL 的微量氢气泄漏，T90 响应时间≤15秒，适配机器人快速移动巡检场景，避免漏检瞬时泄漏。机身采用高强度铝合金材质，支持卡扣式安装，可灵活固定于机器人机械臂或机身，不影响机器人运动灵活性;防护等级达 IP67，耐受半导体车间清洁喷淋与粉尘，适应机器人多场景巡检环境。
2025-10-24
256半导体气瓶柜专用硅烷检测仪-继电器/开关量输出-深国安
半导体气瓶柜专用501硅烷检测仪采用进口传感器，常规兼容电化学，催化燃烧，红外，PID等原理，检测范围覆盖0-10ppm、100PPM、1PPB、100%LEL、100%VOL等，分辨率低至 0.001ppm，检测精度≤±3% F.S，可精准捕捉 0.05ppm 的微量硅烷泄漏，T90 响应时间≤15秒，远超常规仪器，能在泄漏初期快速预警。针对气瓶柜密闭高风险环境，其防爆等级达 Ex ia IIB T4 Ga(Zone 0 级)，机身采用 316L 不锈钢 + 特氟龙涂层，耐受硅烷轻微腐蚀，防护等级 IP67，可应对气瓶柜周边可能的水汽、粉尘影响。
2025-10-24
212半导体金属清洗去除工艺专用-高精度HCI盐酸检测仪-深国安
金属清洗工艺中，HCl 泄漏多为微量挥发(初期浓度常低于 0.5ppm)，但需在达到腐蚀阈值前及时预警。半导体金属清洗去除工艺专用SGA-500HCI盐酸检测仪采用进口电化学传感技术 ，常规检测范围覆盖0-5ppm(适配职业接触限值与设备腐蚀阈值)，最低分辨率达 0.001ppm，检测误差≤±0.5% F.S，可精准识别 0.1ppm 的微量 HCl 蒸汽;T90 响应时间≤8 秒，比国产电化学传感器快 25%，能快速捕捉清洗槽密封盖松动、管路接头微漏等问题，避免 HCl 蒸汽长期累积导致设备腐蚀或晶圆缺陷。
2025-10-23
208半导体湿法清洗干燥工艺专用-IPA异丙醇检测仪-深国安
湿法清洗工艺中，IPA 常与氢氟酸(HF)、盐酸(HCl)、氨水(NH?)等腐蚀性试剂共存，仪器易受化学腐蚀损坏。半导体湿法清洗干燥工艺专用IPA异丙醇检测仪机身采用316L不锈钢 + PTFE 涂层复合结构，表面经钝化处理，可耐受浓度≤5% 的氢氟酸、≤10% 的盐酸短期接触，无腐蚀变形;采样管路选用耐化学腐蚀的全氟醚管，避免被 IPA 或其他试剂溶解、老化，确保气路长期密封可靠，适配多化学试剂的恶劣环境。
2025-10-23
273半导体气相沉积(CVD)工艺巡检-便携式H2氢气检测仪-深国安
CVD 工艺中氢气泄漏多为微量(初期泄漏浓度常低于 1% VOL)，但需在达到爆炸极限前及时预警。SGA-606便携式H2氢气检测仪采用进口热传导传感器 ，具备超高检测精度：检测范围覆盖 0-100% VOL，最低分辨率达 0.01% VOL，检测误差≤±1% F.S，可精准识别 0.1% VOL 的微量泄漏;T90 响应时间≤15秒，比常规电化学传感器快 30%，能快速捕捉 CVD 设备管路接头、反应腔室门密封处的突发泄漏，避免泄漏气体扩散后形成安全隐患。
2025-10-23
216半导体气相沉积CVD工艺专用三氯氢硅检测仪-秒响应-深国安
半导体气相沉积CVD工艺专用三氯氢硅检测仪采用高灵敏度电化学传感器技术，可在三氯氢硅泄漏后?5秒内?触发报警，远超传统检测仪的响应速度。这一特性确保在泄漏初期即可采取应急措施，避免事故扩大。SGA-501三氯氢硅检测仪检测范围覆盖0-100ppm(可定制)，支持扩散，泵吸，管道等采样方式，精度达±3%FS，满足半导体工艺对微量泄漏的监测需求。同时，设备具备抗干扰能力，可稳定运行于高温、高湿或腐蚀性气体环境。
2025-10-22
183半导体湿法清洗工艺专用溴化氢检测仪-抗干扰-深国安
半导体湿法清洗工艺专用溴化氢检测仪应用背景：在半导体表面材料去除工艺(如干法刻蚀、湿法清洗)中，溴化氢(HBr)作为高效蚀刻气体，可精准去除硅氧化物、金属层等表面材料，但它具有强腐蚀性(TLV-TWA 3ppm)，且工艺中 80-120℃高温、40%-90% RH 高湿环境易导致传统检测仪数据漂移，影响安全与工艺精度。
2025-10-22
208半导体CVD工艺专用H2氢气传感器-抗腐蚀/温湿度-深国安
半导体CVD工艺专用H2氢气传感器行业背景：在半导体 CVD 工艺中，氢气作为还原气与载气，需面对硅烷、氨气等腐蚀性气体侵蚀，以及 300-1000℃高温、95% 高湿的复杂环境，传统氢气传感器常因腐蚀失效、温湿度漂移、频繁标定停机等问题影响工艺稳定性。深国安SGA-700系列H2氢气传感器专门针对半导体化学气相沉积(CVD)工艺场景研发的一款高精度H2氢气检测�？椋芬� “抗恶劣环境 + 低运维成本” 为核心，集成抗腐蚀 / 温湿度、多信号输出、免标定三大优势，为 3nm-90nm 先进制程 CVD 设备提供长效可靠的氢气监测。
2025-10-21
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